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2SD2016晶体管资料

  • 2SD2016别名：2SD2016三极管、2SD2016晶体管、2SD2016晶体三极管

  • 2SD2016生产厂家：日本三肯公司

  • 2SD2016制作材料：Si-N+Darl+Di

  • 2SD2016性质：低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L

  • 2SD2016封装形式：直插封装

  • 2SD2016极限工作电压：200V

  • 2SD2016最大电流允许值：3A

  • 2SD2016最大工作频率：90MHZ

  • 2SD2016引脚数：3

  • 2SD2016最大耗散功率：25W

  • 2SD2016放大倍数：β>1000

  • 2SD2016图片代号：B-97

  • 2SD2016vtest：200

  • 2SD2016htest：90000000

  • 2SD2016atest：3

  • 2SD2016wtest：25

  • 2SD2016代换 2SD2016用什么型号代替：2SD1592,2SD1789,2SD1909,

2SD2016价格

参考价格：￥4.4947

型号：2SD2016 品牌：Sanken 备注：这里有2SD2016多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，2SD2016批发/采购报价，2SD2016行情走势销售排行榜，2SD2016报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SD2016

Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Igniter, Relay and General Purpose)

Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor Application : Igniter, Relay and General Purpose

SANKEN

三垦

2SD2016

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 200V(Min) • Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.5V(Max) @IC= 1A • High DC Current Gain : hFE= 1000(Min) @ IC= 1A, VCE= 4V APPLICATIONS • Igniter, relay and general purpose applications.

ISC

无锡固电

2SD2016

双极型晶体管

硅 NPN 三重扩散型晶体管（连接达林顿管） ・直流电流放大倍数高（连接达林顿）;

SANKEN

三垦

2SD2016

Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor

文件：30.8 Kbytes Page：1 Pages

SANKEN

三垦

2SD2016

封装/外壳：TO-220-3 整包 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS NPN DARL 200V 3A TO220F 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

SANKEN

三垦

2SD2016_01

Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor

文件：30.33 Kbytes Page：1 Pages

SANKEN

三垦

2SD2016产品属性

  • 类型

    描述

  • IC：

    3A

  • PC：

    25W

  • hFEmin：

    1000

  • hFEmax：

    15000

  • hFE条件VCE：

    4V

  • hFE条件IC：

    1A

  • VCE（sat）max：

    1.5V

2SD2016供应商更多...

更新时间：2026-5-14 19:39:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
中天科工半导体（深圳）有限公司
2SD2017
三肯
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38900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
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深圳市明嘉莱科技有限公司
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原装铁帽专营,代理渠道量大可订货
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TO-220F
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深圳市蓝山航业科技有限公司
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TO-126
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司
2SD2017
SANKEN
23+
TO-220
45000
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
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