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2SD1963晶体管资料
2SD1963别名：2SD1963三极管、2SD1963晶体管、2SD1963晶体三极管
2SD1963生产厂家：TOY
2SD1963制作材料：Si-NPN
2SD1963性质：表面帖装型 （SMD）_BLITZG_STROBO
2SD1963封装形式：贴片封装
2SD1963极限工作电压：50V
2SD1963最大电流允许值：3A
2SD1963最大工作频率：150MHZ
2SD1963引脚数：3
2SD1963最大耗散功率：
2SD1963放大倍数：
2SD1963图片代号：H-100
2SD1963vtest：50
2SD1963htest：150000000
- 2SD1963atest：3
2SD1963wtest：0
2SD1963代换 2SD1963用什么型号代替：2SC4521,2SD1119,2SD1624,2SD1628,
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
2SD1963 | Power Transistor (-50V, -3A) Features 1) Low saturation voltage, typically VCE(sat) = −0.45V (Max.) at IC/IB = −1.5A / −0.15A. 2) Excellent DC current gain characteristics. 3) Complements the 2SD1963. | ROHM 罗姆 |   | |
2SD1963 | Power transistor (50V, 3A) Features 1) Low saturation voltage, typically VCE(sat) = −0.45V (Max.) at IC/IB = −1.5A / −0.15A. 2) Excellent DC current gain characteristics. 3) Complements the 2SB1308. | ROHM 罗姆 | | |
2SD1963 | Power Transistor Features Low saturation voltage. Excellent DC current gain characteristics. | KEXIN 科信电子 | | |
2SD1963 | Low VCE(sat) Transistor | ROHM 罗姆 | | |
封装/外壳：TO-243AA 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS NPN 20V 3A MPT3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | ROHM 罗姆 | | ||
封装/外壳：TO-243AA 包装：散装 描述：TRANS NPN 20V 3A MPT3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | ROHM 罗姆 | |
2SD1963产品属性
- 类型
描述
- 型号
2SD1963
- 功能描述
两极晶体管 - BJT NPN 20V 3A
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
PNP 集电极—基极电压
- VCBO
集电极—发射极最大电压
- VCEO
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
- 6 V
- 增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe
- Min
100 A
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
PowerFLAT 2 x 2
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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SOT-89 |
5500 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
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ROHM |
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SOT89 |
5000 |
原装现货 |
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