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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SD1763AE

Power Transistor

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ROHM

罗姆

2SD1763AE

封装/外壳:TO-220-3 整包 包装:散装 描述:TRANS NPN 160V 1.5A TO220FP 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ROHM

罗姆

2SD1763AE

Power Transistor

ROHM

罗姆

丝印代码:EF;Power Transistor

Power Transistor (-120V, -1.5A) 2SB1236 / 2SB1186 Power Transistor (120V, 1.5A) 2SC4132 / 2SD1857 / 2SD2343 / 2SD1763

ROHM

罗姆

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ·With TO-220Fa package ·High breakdown voltage VCEO ·Complement to type 2SB1186 ·High transition frequency APPLICATIONS ·For low frequency power amplifier applications

SAVANTIC

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ·With TO-220Fa package ·High breakdown voltage VCEO ·Complement to type 2SB1186 ·High transition frequency APPLICATIONS ·For low frequency power amplifier applications

ISC

无锡固电

POWER TRANSISTOR

Epitaxial Planar NPN Silicon Transistor TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE)

ROHM

罗姆

TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE

Epitaxial Planar NPN Silicon Transistor TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE)

ROHM

罗姆

2SD1763AE产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SD1763AE

  • 功能描述

    TRANS NPN 160V 1.5A TO220FP

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    NPN 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大)

    1A 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大)

    30V

  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)

    200mV @ 100mA,1A 电流 -

  • 集电极截止(最大)

    100nA 在某 Ic、Vce

  • 时的最小直流电流增益(hFE)

    300 @ 500mA,5V 功率 -

  • 最大

    710mW 频率 -

  • 转换

    100MHz

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商设备封装

    SOT-23-3(TO-236)

  • 包装

    Digi-Reel®

  • 其它名称

    MMBT489LT1GOSDKR

更新时间:2026-5-13 22:58:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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