| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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丝印代码：TL；Power Transistor 50V, 3A Power Transistor (50V, 3A) Features 1) Low VCE(sat), VCE(sat) = 0.5V (Typ.) (IC/IB = 2A/0.2A) 2) Complements the 2SB1184 / 2SB1243 / 2SB1185. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor | ROHM 罗姆 |   | ||
Power Transistor (50V, 3A) Power Transistor (50V, 3A) Features 1) Low VCE(sat), VCE(sat) = 0.5V (Typ.) (IC/IB = 2A/0.2A) 2) Complements the 2SB1184 / 2SB1243 / 2SB1185. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor | ROHM 罗姆 | | ||
Power Transistor (50V, 3A) 文件：176.72 Kbytes Page：4 Pages | ROHM 罗姆 | | ||
Medium Power Transistor 文件：40.3 Kbytes Page：1 Pages | KEXIN 科信电子 | | ||
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 文件：163.81 Kbytes Page：3 Pages | SECOS 喜可士 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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