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NPNSILICONPOWERTRANSISTOR

DESCRIPTION The2SD1691isalowVCE(sat)transistorwhichhasalargecurrentcapabilityandwideSOA. ItissuitableforDC-DCconverter,ordriverofsolenoidormotor. FEATURES ●LowCollectorSaturationVoltage. VCE(sat)=0.1VTYP.(@IC/IB=2.0A/0.2A) ●LargeCurrent. IC(DC)

NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NEC

LOWCOLLECTORSATURATIONVOLTAGELARGECURRENT

LOWCOLLECTORSATURATIONVOLTAGELARGECURRENT ■FEATURES *HighPowerDissipation *Complementaryto2SB1151

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

SiliconNPNPowerTransistors

DESCRIPTION ·WithTO-126package ·Complementtotype2SB1151 ·Lowsaturationvoltage ·Hightotalpowerdissipation:PT=1.3W ·LargecurrentcapabilityandwideSOA APPLICATIONS ·DC-DCconverter ·Driverofsolenoidormotor

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC

SILICONPOWERTRANSISTOR

FEATURES •LargecurrentcapacityandlowVCE(sat): IC(DC)=5.0A,IC(pulse)=8.0A VCE(sat)=0.1VTYP.(@IC=2.0A,IB=0.2A) •LargepowerdissipationTO-126typepowertransistor PT=1.3W(@Ta=25°C),20W(@Tc=25°C) •Complementarytransistor:2SB1151

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

LOWCOLLECTORSATURATIONVOLTAGELARGECURRENT

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UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
更新时间:2024-6-16 23:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
23+
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优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
NEC
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