2SD1623晶体管资料
2SD1623别名：2SD1623三极管、2SD1623晶体管、2SD1623晶体三极管
2SD1623生产厂家：日本三洋公司
2SD1623制作材料：Si-NPN
2SD1623性质：表面帖装型 （SMD）_低频或音频放大 （LF）_LO.SAT
2SD1623封装形式：特殊封装
2SD1623极限工作电压：60V
2SD1623最大电流允许值：2A
2SD1623最大工作频率：150MHZ
2SD1623引脚数：3
2SD1623最大耗散功率：
2SD1623放大倍数：
2SD1623图片代号：H-100
2SD1623vtest：60
2SD1623htest：150000000
- 2SD1623atest：2
2SD1623wtest：0
2SD1623代换 2SD1623用什么型号代替：2SC2873,2SC4357,2SC4409,2SD1005,2SD1119,
2SD1623价格
参考价格：￥0.8514
型号：2SD1623S-TD-E 品牌：ON Semiconductor 备注：这里有2SD1623多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，2SD1623批发/采购报价，2SD1623行情走势销售排行榜，2SD1623报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
2SD1623 | High-Current Switching Applications PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors Features • Adoption of FBET, MBIT processes. • Low collector-to-emitter saturation voltage. • Large current capacity and wide ASO. • Fast switching speed. • The ultraminiature package facilitates higher-density mounting, thus allows the applied | SANYO 三洋 |   | |
2SD1623 | NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor ■ Features ● Low collector-to-emitter saturation voltage. ● Large current capacity and wide ASO. ● Fast switching speed. ● Complementary to 2SB1123 | KEXIN 科信电子 | | |
2SD1623 | High-Current Switching Applications PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors Features • Adoption of FBET, MBIT processes. • Low collector-to-emitter saturation voltage. • Large current capacity and wide ASO. • Fast switching speed. • The ultraminiature package facilitates higher-density mounting, thus allows the applied | SANYO 三洋 | | |
2SD1623 | Bipolar Transistor (??50V, (??2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP Features • Adoption of FBET, MBIT processes • Low collector-to-emitter saturation voltage • Large current capacity and wide ASO • Fast switching speed • The ultraminiature package facilitates higher-density mounting, thus allows the applied hybrid IC’s further miniaturization Applicaitons • | ONSEMI 安森美半导体 | | |
2SD1623 | 双极晶体管，50V，2A，低饱和压，(PNP)NPN 单 PCP 2SD1623 is a Bipolar Transistor, 50V, 2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP for High-Current Switching Applications. • Adoption of FBET, MBIT processes\n• Low collector-to-emitter saturation voltage\n• Large current capacity and wide ASO\n• Fast switching speed\n• The ultraminiature package facilitates higher-density mounting, thus allows the applied hybrid ICs further miniaturization; | ONSEMI 安森美半导体 | | |
2SD1623 | High-Current Switching Applications 文件：105 Kbytes Page：5 Pages | SANYO 三洋 | | |
High-Current Switching Applications PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors Features • Adoption of FBET, MBIT processes. • Low collector-to-emitter saturation voltage. • Large current capacity and wide ASO. • Fast switching speed. • The ultraminiature package facilitates higher-density mounting, thus allows the applied | SANYO 三洋 | | ||
Bipolar Transistor (-)50V, (-)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP Features • Adoption of FBET, MBIT processes • Low collector-to-emitter saturation voltage • Large current capacity and wide ASO • Fast switching speed • The ultraminiature package facilitates higher-density mounting, thus allows the applied hybrid IC’s further miniaturization Applicaitons • | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Bipolar Transistor (??50V, (??2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP Features • Adoption of FBET, MBIT processes • Low collector-to-emitter saturation voltage • Large current capacity and wide ASO • Fast switching speed • The ultraminiature package facilitates higher-density mounting, thus allows the applied hybrid IC’s further miniaturization Applicaitons • | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Bipolar Transistor (??50V, (??2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP Features • Adoption of FBET, MBIT processes • Low collector-to-emitter saturation voltage • Large current capacity and wide ASO • Fast switching speed • The ultraminiature package facilitates higher-density mounting, thus allows the applied hybrid IC’s further miniaturization Applicaitons • | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Bipolar Transistor (-)50V, (-)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP Features • Adoption of FBET, MBIT processes • Low collector-to-emitter saturation voltage • Large current capacity and wide ASO • Fast switching speed • The ultraminiature package facilitates higher-density mounting, thus allows the applied hybrid IC’s further miniaturization Applicaitons • | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
NPN Transistors 文件：1.18338 Mbytes Page：3 Pages | KEXIN 科信电子 | | ||
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NPN Transistors 文件：1.18338 Mbytes Page：3 Pages | KEXIN 科信电子 | | ||
封装/外壳：TO-243AA 包装：散装 描述：TRANS NPN 50V 2A PCP 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
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封装/外壳：TO-243AA 包装：散装 描述：TRANS NPN 50V 2A PCP 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
NPN小信号三极管 | CHINABASE 创基电子 | | ||
NPN Transistors 文件：1.18338 Mbytes Page：3 Pages | KEXIN 科信电子 | |
2SD1623产品属性
- 类型
描述
- Pb-free：
Pb
- Status：
Active
- Polarity：
NPN
- Type：
Low VCE(sat)
- VCE(sat) Max (V)：
0.4
- IC Cont. (A)：
2
- VCEO Min (V)：
50
- VCBO (V)：
60
- VEBO (V)：
6
- VBE(sat) (V)：
0.9
- hFE Min：
140
- hFE Max：
280
- fT Min (MHz)：
150
- PTM Max (W)：
0.5
- Package Type：
SOT-89/PCP-1
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SANYO |
2016+ |
SOT-89 |
3000 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
|||
SANYO |
23+ |
SOT223 |
20000 |
全新原装假一赔十 |
|||
SANYO/三洋 |
25+ |
SOT-89 |
32000 |
SANYO/三洋全新特价2SD1623S-TD即刻询购立享优惠#长期有货 |
|||
SANYO/三洋 |
25+ |
SOT-89 |
20000 |
原装 |
|||
ON/安森美 |
25+ |
SOT-89(SOT-89-3) |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
|||
SANYO |
24+ |
SOT-89 |
66800 |
原厂授权一级代理,专注汽车、医疗、工业、新能源！ |
|||
ON |
21+ |
SOT-89 |
154 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
ON Semiconductor Corporation |
25+ |
SMD |
918000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
SANYO |
25+23+ |
SOT89 |
17034 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
ON/安森美 |
2022+ |
PCP-3 |
8000 |
只做原装支持实单,有单必成。 |
2SD1623规格书下载地址
2SD1623参数引脚图相关
- 500t
- 5000
- 4921
- 4899
- 485接口
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- 4735
- 47301
- 4591
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- 4313
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- 4066
- 3q1
- 3g汽车
- 3579
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- 3477
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- 303c
- 2SD1651
- 2SD1650
- 2SD1649
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- 2SD1646
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- 2SD1618
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- 2SD1616
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- 2SD1614
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2018-12-19
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