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型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO	操作
2SD1604	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 80V(Min) • High DC Current Gain : hFE= 1000(Min) @IC= 4A • Complement to Type 2SB1104 APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifiers applications.	ISC 无锡固电	ISC
2SD1604	LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER COMPLEMENT PAIR WITH 2SB1103 AND 2SB1104 SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER COMPLEMENTARY PAIR WITH 2SB1103 AND 2SB1104	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi

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更新时间：2025-10-7 23:00:00

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