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型号	功能描述	生产厂家&企业	LOGO	操作
2SD1601	iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=60V(Min) •HighDCCurrentGain:hFE=1000(Min)@IC=2A •ComplementtoType2SB1101 APPLICATIONS •Designedforlowfrequencypoweramplifiersapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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更新时间：2024-4-26 18:27:00

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