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型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
2SD1509	NPN EPITAXIAL TYPE (MICRO MOTOR DRIVE, HAMMER DRIVE, SWITCHING, POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) Micro-Motor Drive, Hammer Drive Applications Switching Applications Power Amplifier Applications • High DC current gain: hFE = 2000 (min) (VCE = 2 V, IC = 1 A) • Low saturation voltage: VCE (sat) = 1.5 V (max) (IC = 1 A, IB = 1 mA)	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD1509	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION • High DC Current Gain- : hFE = 2000(Min)@ IC= 1A • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 80V(Min) • Low Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat) = 1.5V(Max)@ IC=1A APPLICATIONS • Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications.	ISC 无锡固电	ISC
2SD1509	Power transistor for low frequency applications	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD1509	Micro-Motor Drive, Hammer Drive Applications 文件：162.41 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD1509_09	Micro-Motor Drive, Hammer Drive Applications 文件：162.41 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

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更新时间：2025-11-20 23:00:00

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2SC5569G-SOT89R-TG
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