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Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-220Fa package • High breakdown voltage • Low collector saturation voltage • Complement to type 2SB1016 APPLICATIONS • Power amplifier applications

ISC

无锡固电

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-220Fa package • High breakdown voltage • Low collector saturation voltage • Complement to type 2SB1016 APPLICATIONS • Power amplifier applications

SAVANTIC

PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(POWER AMPLIFIER VERTICAL DEFLECTION OUTPUT)

POWER AMPLIFIER VERTICAL DEFLECTION OUTPUT ● Complement to 2SB1016

WINGS

永盛电子

NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)

Power Amplifier Applications • High breakdown voltage: VCEO = 100 V • Low collector saturation voltage: VCE (sat) = 2.0 V (max) • Complementary to 2SB1016A

TOSHIBA

东芝

Power Amplifier Applications

文件:137.3 Kbytes Page:4 Pages

TOSHIBA

东芝

2SD1407A-YF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SD1407A-YF

  • 制造商

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述

    NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE

更新时间:2026-5-22 14:32:02
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