2SD1286(Z)晶体管资料

  • 2SD1286(Z)别名:2SD1286(Z)三极管、2SD1286(Z)晶体管、2SD1286(Z)晶体三极管

  • 2SD1286(Z)生产厂家:日本日电公司

  • 2SD1286(Z)制作材料:Si-N+Darl+Di

  • 2SD1286(Z)性质:低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 2SD1286(Z)封装形式:贴片封装

  • 2SD1286(Z)极限工作电压:60V

  • 2SD1286(Z)最大电流允许值:1A

  • 2SD1286(Z)最大工作频率:<1MHZ或未知

  • 2SD1286(Z)引脚数:3

  • 2SD1286(Z)最大耗散功率:8W

  • 2SD1286(Z)放大倍数:β=1000-30000

  • 2SD1286(Z)图片代号:A-80

  • 2SD1286(Z)vtest:60

  • 2SD1286(Z)htest:999900

  • 2SD1286(Z)atest:1

  • 2SD1286(Z)wtest:8

  • 2SD1286(Z)代换 2SD1286(Z)用什么型号代替:2SC2871,2SD1598,2SD1800,

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTORMP-3

DESCRIPTION The2SD1286-ZisdesignedforSwitching,especiallyinHybridIntegratedCircuits. FEATURES ●HighhFE:hFE=2000to30000 ●Complementto2SB963-Z

NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

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iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor

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ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

SILICONPOWERTRANSISTOR

NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR DESCRIPTION The2SD1286-ZisdesignedforSwitching,especiallyinHybrid IntegratedCircuits. FEATURES •HighhFE=2000to30000 •Complementto2SB963-Z

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTORMP-3

DESCRIPTION The2SD1286-ZisdesignedforSwitching,especiallyinHybridIntegratedCircuits. FEATURES ●HighhFE:hFE=2000to30000 ●Complementto2SB963-Z

NECRenesas Electronics America

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iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor

DESCRIPTION •WithTO-252(DPAK)packaging •VeryhighDCcurrentgain •Monolithicdarlingtontransistorwithintegrated antiparallelcollector-emitterdiode •Complementtotype2SB963-Z •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATION

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更新时间:2024-4-20 11:43:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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