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2SD1268	Silicon PNP epitaxial planar type(For power switching) Silicon PNP epitaxial planar type For power switching Complementary to 2SD1268 ■ Features ● Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) ● Satisfactory linearity of foward current transfer ratio hFE ● Large collector current IC ● Full-pack package which can be installed to the heat	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SD1268	Silicon NPN epitaxial planar type(For power switching) Silicon NPN epitaxial planar type For power switching ■ Features • Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) • Satisfactory linearity of forward current transfer ratio hFE • Large collector current IC • Full-pack package which can be installed to the heat sink with one screw.	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SD1268	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Low Collector Saturation Voltage : VCE(sat)= 0.5V(Max)@ IC= 2A • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 80V (Min) • Good Linearity of hFE • Complement to Type 2SB943 APPLICATIONS • Designed for power switching applications.	ISC 无锡固电	ISC
2SD1268	Trans GP BJT NPN 80V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220F-A1	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SD12680P	封装/外壳：TO-220-3 整包包装：散装描述：TRANS NPN 80V 3A TO220F-A1 分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个	PANASONIC 松下	PANASONIC

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更新时间：2026-5-14 17:56:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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2023-1-30
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2019-2-15
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