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2SD1223晶体管资料

  • 2SD1223别名：2SD1223三极管、2SD1223晶体管、2SD1223晶体三极管

  • 2SD1223生产厂家：日本东芝公司

  • 2SD1223制作材料：Si-N+Darl+Di

  • 2SD1223性质：低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L

  • 2SD1223封装形式：直插封装

  • 2SD1223极限工作电压：100V

  • 2SD1223最大电流允许值：4A

  • 2SD1223最大工作频率：<1MHZ或未知

  • 2SD1223引脚数：3

  • 2SD1223最大耗散功率：15W

  • 2SD1223放大倍数：β=5000

  • 2SD1223图片代号：B-10

  • 2SD1223vtest：100

  • 2SD1223htest：999900

  • 2SD1223atest：4

  • 2SD1223wtest：15

  • 2SD1223代换 2SD1223用什么型号代替：2SC4339,2SD1520,2SD1749,2SD1816,2SD1955,

2SD1223价格

参考价格：￥20.7678

型号：2SD1223(TE16L1,NQ) 品牌：Toshiba 备注：这里有2SD1223多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，2SD1223批发/采购报价，2SD1223行情走势销售排行榜，2SD1223报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SD1223

NPN EPITAXIAL TYPE (SWITCHING, HAMMER DRIVE, PULSE MOTOR DRIVE, POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)

Switching Applications Hammer Drive, Pulse Motor Drive Applications Power Amplifier Applications • High DC current gain: hFE = 2000 (min) (VCE = 2 V, IC = 1 A) • Low saturation voltage: VCE (sat) = 1.5 V (max) (IC = 3 A) • Complementary to 2SB908.

TOSHIBA

东芝

2SD1223

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBA

东芝

2SD1223

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 80V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 2000(Min)@ IC= 1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter

ISC

无锡固电

2SD1223

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 80V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 2000(Min)@ IC= 1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter

ISC

无锡固电

2SD1223

Power transistor for low frequency applications

Feature：Darlington\nApplication Scope：Power amplifier / Switching\nPolarity：NPN\nComplementary Product：2SB908\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 Collector Current IC 4 A \nCollector power dissipation PC 15 W \nCollector power dissipation PC 1 W \nCollector-emitter voltage VCEO 80 V ;

TOSHIBA

东芝

2SD1223

Switching Applications

文件：163.63 Kbytes Page：5 Pages

TOSHIBA

东芝

2SD1223-251

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 80V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 2000(Min)@ IC= 1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter

ISC

无锡固电

2SD1223-252

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 80V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 2000(Min)@ IC= 1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter

ISC

无锡固电

2SD1223(TE16L1,NQ)

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：卷带（TR） 描述：TRANS NPN DARL 80V 4A PW-MOLD 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ETC

知名厂家

2SD1223,L1XGQ(O

包装：散装 描述：TRANSISTOR NPN DARL PWMOLD 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ETC

知名厂家

2SD1223_10

Switching Applications

文件：163.63 Kbytes Page：5 Pages

TOSHIBA

东芝

2SD1223产品属性

  • 类型

    描述

  • Polarity：

    NPN

  • Features：

    Darlington

  • VCEO(Max)(V)：

    80

  • IC(Max)(A)：

    4

  • hFE(Min)：

    2000

  • VCE(sat)(Max)(V)：

    1.5

  • ComplementaryProduct：

    2SB908

  • Number of pins：

    3

  • Surface mount package：

    Y

  • Package name：

    New PW-Mold

  • Width×Length×Height(mm)：

    6.5 x 9.5 x 2.3

2SD1223供应商更多...

更新时间：2026-5-14 22:50:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
上海意淼电子科技有限公司
2SD1223
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