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2SD1187晶体管资料

  • 2SD1187别名:2SD1187三极管、2SD1187晶体管、2SD1187晶体三极管

  • 2SD1187生产厂家:日本东芝公司

  • 2SD1187制作材料:Si-NPN

  • 2SD1187性质:低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 2SD1187封装形式:直插封装

  • 2SD1187极限工作电压:100V

  • 2SD1187最大电流允许值:10A

  • 2SD1187最大工作频率:<1MHZ或未知

  • 2SD1187引脚数:3

  • 2SD1187最大耗散功率:80W

  • 2SD1187放大倍数

  • 2SD1187图片代号:B-46

  • 2SD1187vtest:100

  • 2SD1187htest:999900

  • 2SD1187atest:10

  • 2SD1187wtest:80

  • 2SD1187代换 2SD1187用什么型号代替:2SD1705,2SD1840,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SD1187

NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (HIGH POWER SWITCHING, DC-DC CONVERTER AND DC-AC INVERTER APPLICATIONS)

HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS DC-DC CONVERTER AND DC-AC INVERTER APPLICATIONS

TOSHIBA

东芝

2SD1187

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage: V(BR)CEO= 80V(Min) · Low Collector Saturation Voltage: VCE(sat)= 0.5V(Max.) @ IC= 6A · High Power Dissipation APPLICATIONS · High power switching applications · DC-DC converter and DC-AC inverter applications

ISC

无锡固电

2SD1187

Trans GP BJT NPN 80V 10A 3-Pin(3+Tab) 2-16B1A

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2SD1187

三极管

MOSPEC

统懋

2SD1187产品属性

  • 类型

    描述

  • VCBO (V):

    100

  • VCEO (V):

    80

  • PD (W):

    80

  • PACKAGE:

    TO-3P

  • NPN:

    2SD1187

  • HFE (Min/Max):

    70/240

  • IC/VCE (A/V):

    1.0/1.0

  • VCE(SAT) (V):

    0.5

  • IC / IB (A/mA):

    6.0/300

更新时间:2026-5-14 22:59:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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