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2SD1127	SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED POWER SWITCHING Coming Soon. If you have some information on related parts, please share useful information by adding links below.	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SD1127	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Sustaining Voltage : VCEO(SUS)= 120V(Min) ·High DC Current Gain : hFE= 1000(Min) @IC= 10A ·Low Saturation Voltage APPLICATIONS ·Designed for power switching applications.	ISC 无锡固电	ISC

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更新时间：2026-5-14 15:35:00

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2SC5569G-SOT89R-TG
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2019-2-15
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