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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SD1119GRL

封装/外壳:TO-243AA 包装:散装 描述:TRANS NPN 25V 3A MINIP3-F2 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

PANASONIC

松下

Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency power amplification0

Silicon NPN epitaxial planer type For low-frequency power amplification ■ Features ● Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). ● Satisfactory operation performances at high efficiency with the low-voltage power supply. ● Mini type package, allowing downsizing of the equipment an

PANASONIC

松下

Silicon NPN epitaxial planar type

Features ● Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat). ● Satisfactory operation performances at high efficiency with the lowvoltage power supply.

KEXIN

科信电子

TRANSISTOR (NPN)

FEATURES ● Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) ● Satisfactory operation performances at high efficiency with the low voltage power supply.

HTSEMI

金誉半导体

NPN Transistors

文件:391.17 Kbytes Page:1 Pages

KEXIN

科信电子

NPN Transistors

文件:391.17 Kbytes Page:1 Pages

KEXIN

科信电子

2SD1119GRL产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SD1119GRL

  • 功能描述

    TRANS NPN 25VCEO 3A MINIP-3

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    NPN 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大)

    1A 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大)

    30V

  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)

    200mV @ 100mA,1A 电流 -

  • 集电极截止(最大)

    100nA 在某 Ic、Vce

  • 时的最小直流电流增益(hFE)

    300 @ 500mA,5V 功率 -

  • 最大

    710mW 频率 -

  • 转换

    100MHz

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商设备封装

    SOT-23-3(TO-236)

  • 包装

    Digi-Reel®

  • 其它名称

    MMBT489LT1GOSDKR

更新时间:2026-3-18 10:28:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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