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芯片资料

精确

型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO	操作
2SD1117	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 40V(Min) • Low Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.2V(Max) @IC= 5A • Wide Area of Safe Operation • Complement to Type 2SB850 APPLICATIONS • Designed for audio amplifier, series regulators and general purpose power	ISC 无锡固电	ISC

2SD1117供应商更多...

更新时间：2025-11-20 23:00:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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2SC5569G-SOT89R-TG
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