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iscSiliconNPNPowerTransistors

DESCRIPTION ·DCCurrentGainhFE:200-500@IC=0.5A ·Collector-EmitterBreakdownVoltage :V(BR)CEO=30V(Min) ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforuseingeneralpurposeamplifierandswitching applications.

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无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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MidiumPowerTransistors(30V/5A)

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MidiumPowerTransistors(30V/5A)

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NPN5.0A30VMiddlePowerTransistor

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罗姆罗姆半导体集团

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更新时间:2024-6-7 18:29:01
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