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High-Speed Switching Applications

High-Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications • High DC current gain: hFE = 400 to 1000 (IC = 0.15 A) • Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = 0.12 V (max) • High-speed switching: tf = 45 ns (typ.)

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Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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Power transistor for high-speed switching applications

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封装/外壳:TO-243AA 包装:卷带(TR) 描述:TRANS NPN 20V 1.5A PW-MINI 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ETC

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2SC5819产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SC5819

  • 制造商

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述

    TRANSISTOR NPN 20V 1.5A SC-62

更新时间:2025-11-19 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
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