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2SC571晶体管资料

  • 2SC571别名：2SC571三极管、2SC571晶体管、2SC571晶体三极管

  • 2SC571生产厂家：日本松下公司

  • 2SC571制作材料：Si-NPN

  • 2SC571性质：甚高频 （VHF）_宽频带放大 （A）_TR

  • 2SC571封装形式：直插封装

  • 2SC571极限工作电压：36V

  • 2SC571最大电流允许值：0.5A

  • 2SC571最大工作频率：175MHZ

  • 2SC571引脚数：3

  • 2SC571最大耗散功率：1W

  • 2SC571放大倍数：

  • 2SC571图片代号：C-40

  • 2SC571vtest：36

  • 2SC571htest：175000000

  • 2SC571atest：0.5

  • 2SC571wtest：1.0001

  • 2SC571代换 2SC571用什么型号代替：BFQ42,BFR98,BFS22,BFS51,BSW47,BLW16,BLY33,BLY67,2N3553,3DA106B,

2SC571价格

参考价格：￥1.3316

型号：2SC5712(TE12L,F) 品牌：Toshiba 备注：这里有2SC571多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，2SC571批发/采购报价，2SC571行情走势销售排行榜，2SC571报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SC5710

DC / DC Converter Applications

PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors DC / DC Converter Applications Features • Adoption of FBET and MBIT processes. • Large current capacitance. • Low collector-to-emitter saturation voltage. • High-speed switching. • High allowable power dissipation. Applicat

SANYO

三洋

2SC5710

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 50V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 200(Min)@ IC= 0.5A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter

ISC

无锡固电

2SC5710

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 30V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 200(Min)@ IC= 0.5A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter

ISC

无锡固电

2SC5710-251

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 50V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 200(Min)@ IC= 0.5A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter

ISC

无锡固电

2SC5710-252

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 30V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 200(Min)@ IC= 0.5A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter

ISC

无锡固电

2SC5712

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBA

东芝

2SC5712

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type

High-Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications DC-AC Converter Applications • High DC current gain: hFE = 400 to 1000 (IC = 0.3 A) • Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = 0.14 V (max) • High-speed switching: tf = 120 ns (typ.)

TOSHIBA

东芝

2SC5712

Power transistor for high-speed switching applications

Application Scope：DC/DC converters / Camera flashes / Mobile equipment power supplies\nPolarity：NPN\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 Collector Current IC 3 A \nCollector Current ICP 5 A \nCollector power dissipation (mounted on FR4 board (Cu 645mm**2, glass-epoxy t=1.6mm)) PC 2.5 W \nCollector-emitter voltage VCEO 50 V ;

TOSHIBA

东芝

2SC5713

Power transistor for high-speed switching applications

Application Scope：DC/DC converters / Camera flashes / Mobile equipment power supplies\nPolarity：NPN\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 Collector Current IC 4 A \nCollector Current ICP 7 A \nCollector power dissipation (mounted on FR4 board (Cu 645mm**2, glass-epoxy t=1.6mm)) PC 2.5 W \nCollector-emitter voltage VCEO 10 V ;

TOSHIBA

东芝

2SC5713

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type

High-Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications Strobe Applications • High DC current gain: hFE= 400 to 1000 (IC= 0.5 A) • Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat)= 0.15 V (max) • High-speed switching: tf= 50 ns (typ.)

TOSHIBA

东芝

2SC5713

丝印代码：2C；Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBA

东芝

2SC5714

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBA

东芝

2SC5714

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type

High-Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications Strobe Applications • High DC current gain: hFE = 400 to 1000 (IC = 0.5 A) • Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = 0.15 V (max) • High-speed switching: tf = 90 ns (typ.)

TOSHIBA

东芝

2SC5714

Power transistor for high-speed switching applications

Application Scope：Camera flashes / DC/DC converters / Mobile equipment power supplies\nPolarity：NPN\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 Collector Current IC 4 A \nCollector Current ICP 7 A \nCollector power dissipation (mounted on FR4 board (Cu 645mm**2, glass-epoxy t=1.6mm)) PC 2.5 W \nCollector-emitter voltage VCEO 20 V ;

TOSHIBA

东芝

2SC5716

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Mesa Type

Horizontal Deflection Output for High Resolution Display, Color TV • High voltage: VCBO = 1700 V • High speed: tf (2) = 0.2 µs (typ.) • Collector metal (fin) is fully covered with mold resin.

TOSHIBA

东芝

2SC5717

Horizontal Deflection Output for Super High Resolution Display, Color TV, Digital TV. High Speed Switching Applications.

Horizontal Deflection Output for Super High Resolution Display, Color TV, Digital TV. High Speed Switching Applications.  High voltage: VCBO= 1500 V  Low saturation voltage: VCE (sat)= 3 V (max)  High speed: tf(2) = 0.1 µs (typ.)

TOSHIBA

东芝

2SC5712

High-Speed Switching Applications

文件：169.97 Kbytes Page：5 Pages

TOSHIBA

东芝

2SC5712(TE12L,F)

封装/外壳：TO-243AA 包装：卷带（TR） 描述：TRANS NPN 50V 3A PW-MINI 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ETC

知名厂家

2SC5712_06

High-Speed Switching Applications

文件：169.97 Kbytes Page：5 Pages

TOSHIBA

东芝

2SC5713

Silicon NPN Epitaxial Type High-Speed Switching Applications

文件：139.03 Kbytes Page：5 Pages

TOSHIBA

东芝

2SC5713_06

Silicon NPN Epitaxial Type High-Speed Switching Applications

文件：139.03 Kbytes Page：5 Pages

TOSHIBA

东芝

2SC5714

Silicon NPN Epitaxial Type

文件：139.58 Kbytes Page：5 Pages

TOSHIBA

东芝

2SC5714(TE12L,ZF)

封装/外壳：TO-243AA 包装：卷带（TR） 描述：TRANS NPN 20V 4A PW-MINI 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ETC

知名厂家

2SC5714_06

Silicon NPN Epitaxial Type

文件：139.58 Kbytes Page：5 Pages

TOSHIBA

东芝

2SC571产品属性

  • 类型

    描述

  • Polarity：

    NPN

  • Features：

    Low Satulation Voltage

  • VCEO(Max)(V)：

    50

  • IC(Max)(A)：

    3

  • hFE(Min)：

    400

  • hFE(Max)：

    1000

  • VCE(sat)(Max)(V)：

    0.14

  • Number of pins：

    3

  • Surface mount package：

    Y

  • Package name：

    PW-Mini

  • Width×Length×Height(mm)：

    4.6 x 4.2 x 1.6

2SC571供应商更多...

更新时间：2026-5-16 8:02:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市宝芯创电子有限公司
2SC5714
TOSHIBA/东芝
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SOT89
25029
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深圳市科芯源微电子有限公司
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2SC5713
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深圳市科恒伟业电子有限公司
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TOSHIBA/东芝
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2SC5714(TE12LF)
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SOT-89
30000
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深圳市一线半导体有限公司
2SC5713
TOSHIBA
24+
SOT-89
6800
新进库存/原装
询价

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