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2SC5480

SiliconNPNTripleDiffusedHorizntalDeflectionOutput

Features •Highbreakdownvoltage VCES=1500V •IsolatedpackageTO–3PFM •Built-indamperdiode

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

Hitachi
2SC5480

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·HighBreakdownVoltage-:VCBO=1500V(Min) ·HighSwitchingSpeed ·Built-inDamperDiode APPLICATIONS ·Designedforhorizontaldeflectionoutputstageapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
更新时间:2025-7-23 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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