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2SC5480

Silicon NPN Triple Diffused Horizntal Deflection Output

Features • High breakdown voltage VCES = 1500 V • Isolated package TO–3PFM • Built-in damper diode

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SC5480

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·High Breakdown Voltage-: VCBO= 1500V (Min) ·High Switching Speed ·Built-in Damper Diode APPLICATIONS ·Designed for horizontal deflection output stage applications.

ISC

无锡固电

更新时间:2025-12-25 20:00:00
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