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2SC5409-T1

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION

FEATURE • High fT 16 GHz TYP. • High gain |S21e|2 = 14 dB TYP. @f = 2 GHz, VCE = 2 V, IC = 20 mA • NF = 1.1 dB, @f = 2 GHz VCE = 2 V, IC = 3 mA • 6-pin Small Mini Mold Package

NEC

瑞萨

更新时间:2026-1-4 9:21:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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