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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SC5359

NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (POWERAMPLIFIER APPLICATIONS)

Power Amplifier Applications • High breakdown voltage: VCEO= 230 V • Complementary to 2SA1987 • Suitable for use in 100-W high fidelity audio amplifier’s output stage.

TOSHIBA

东芝

2SC5359

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ·With TO-3PL package ·Complement to type 2SA1987 APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Recommend for 100W high fidelity audio frequency amplifier output stage

ISC

无锡固电

2SC5359

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION · With TO-3PL package ·Complement to type 2SA1987 APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Recommend for 100W high fidelity audio frequency amplifier output stage

SAVANTIC

2SC5359

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBA

东芝

2SC5359

Power transistor for high-speed switching applications

Application Scope：Audio amplifier output stage 120-W\nPolarity：NPN\nComplementary Product：2SA1987\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 Collector Current IC 15 A \nCollector power dissipation PC 180 W \nCollector-emitter voltage VCEO 230 V ;

TOSHIBA

东芝

2SC5359

NPN epitaxial silicon transistor\n

MCPL

2SC5359

Power Amplifier Applications

文件：128.83 Kbytes Page：4 Pages

TOSHIBA

东芝

2SC5359

Silicon NPN Power Transistor

文件：127.45 Kbytes Page：2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2SC5359

Power Amplifier Applications

文件：127.69 Kbytes Page：4 Pages

TOSHIBA

东芝

2SC5359

Silicon NPN Power Transistors

文件：244.95 Kbytes Page：4 Pages

SAVANTIC

2SC5359_04

Power Amplifier Applications

文件：127.69 Kbytes Page：4 Pages

TOSHIBA

东芝

2SC5359-O

Power Amplifier Applications

文件：128.83 Kbytes Page：4 Pages

TOSHIBA

东芝

2SC5359-O(Q)

封装/外壳：TO-3PL 包装：散装 描述：TRANS NPN 230V 15A TO3P 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ETC

知名厂家

2SC5359-R

Power Amplifier Applications

文件：128.83 Kbytes Page：4 Pages

TOSHIBA

东芝

2SC5359产品属性

  • 类型

    描述

  • Polarity：

    NPN

  • Features：

    Power Amps Output Stage

  • VCEO(Max)(V)：

    230

  • IC(Max)(A)：

    15

  • hFE(Min)：

    55

  • hFE(Max)：

    160

  • VCE(sat)(Max)(V)：

    3.0

  • fT(Typ.)(MHz)：

    30

  • ComplementaryProduct：

    2SA1987

  • Comments：

    Rank is specified by hFE range.

  • Number of pins：

    3

  • Surface mount package：

    N

  • Package name：

    TO-3P(L)

  • Width×Length×Height(mm)：

    20.0 x 26.0 x 5.0

2SC5359供应商更多...

更新时间：2026-5-14 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市科芯源微电子有限公司
2SC5359(QSCAQ)
TOSHIBA/东芝
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