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2SC5195-T1

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

FEATURES • Low Voltage Operation, Low Phase Distortion • Low Noise NF = 1.5 dB TYP. @VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz NF = 1.5 dB TYP. @VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz • Large Absolute Maximum Collector Current IC = 100 mA • Supercompact Mini Mold Package

NEC

瑞萨

2SC5195-T1

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

RENESAS

瑞萨

2SC5195-T1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SC5195-T1

  • 制造商

    NEC Electronics Corporation

更新时间:2025-11-21 20:31:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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