型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SC5161TLB

High voltage switching transistor (400V, 2A)

Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat)=0.15V (Typ.) (IC/IB=1A/0.2A) 2) High breakdown voltage. VCEO=400V 3) Fast switching. tf ≤1.0µs (IC=0.8A)

ROHM

罗姆

2SC5161TLB

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:TRANS NPN 400V 2A CPT3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ROHM

罗姆

High Voltage Switching Transistor(400V, 2A)

Epitaxial Planar NPN Silicon Transistor TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE)

ROHM

罗姆

HIgh voltage switching transistor (400V, 2A)

Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat)=0.15V (Typ.) (IC/IB=1A/0.2A) 2) High breakdown voltage. VCEO=400V 3) Fast switching. tf ≤1.0µs (IC=0.8A)

ROHM

罗姆

High Voltage Switching Transistor

Features ● Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.15V (Typ.),IC / IB = 1A / 0.2A ● High breakdown voltage.VCEO = 400V ● Fast switching.tr = 1.0ìs,IC = 0.8A ● NPN silicon transistor

KEXIN

科信电子

2SC5161TLB产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SC5161TLB

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT NPN 400V 2A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-11-22 13:18:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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    https://hch01.114ic.com/

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    2SC5299,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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    深圳市科恒伟业电子有限公司 深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516 网站 http://www.kehengweiyedz.cn 网站http://www.kehengweiye.com 邮箱:yulin522@126.com 0755-83200050 15817287769 柯先生

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