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2SC4926YD-TL-E

Silicon NPN Epitaxial

Features • High gain bandwidth product fT = 11 GHz Typ • High gain, low noise figure PG = 16.5 dB Typ, NF = 1.1 dB Typ at f = 900 MHz Application VHF / UHF wide band amplifier

RENESAS

瑞萨

2SC4926YD-TL-E

包装:卷带(TR) 描述:TRANSISTOR NPN MPAK-4 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ETC

知名厂家

Silicon NPN Epitaxial

Features • High gain bandwidth product fT= 11 GHz Typ • High gain, low noise figure PG = 16.5 dB Typ, NF = 1.1 dB Typ at f = 900 MHz Application VHF / UHF wide band amplifier

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

Silicon NPN Epitaxial

Features • High gain bandwidth product fT = 11 GHz Typ • High gain, low noise figure PG = 16.5 dB Typ, NF = 1.1 dB Typ at f = 900 MHz Application VHF / UHF wide band amplifier

RENESAS

瑞萨

更新时间:2025-10-4 12:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
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电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价
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    2SC5299,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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    深圳市科恒伟业电子有限公司 深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516 网站 http://www.kehengweiyedz.cn 网站http://www.kehengweiye.com 邮箱:yulin522@126.com 0755-83200050 15817287769 柯先生

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