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2SC4129	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 400V(Min) • High Switching Speed • Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS • Designed for switching regulator and general purpose applications.	ISC 无锡固电	ISC

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更新时间：2026-5-14 18:50:00

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