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2SC4115S_REVB	Low VCE(sat)., VCE(sat) = 0.2V(Typ.), 竊뉹C / IB = 2A / 0.1A竊文件：165.89 Kbytes Page：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SC4115	SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Low VCE(sat).VCE(sat) = 0.2V (Typ.)(IC / IB = 2A / 0.1A) Excellent current gain characteristics. Complements to 2SA1585	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2SC4115	NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor FEATURES ● Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.2V (Typ.)(IC / IB = 2A / 0.1A) ● Excellent current gain characteristics. ● Complements to 2SA1585.	BILIN 银河微电	BILIN
2SC4115	NPN Plastic Encapsulated Transistor FEATURES ● Small Flat Package ● General Purpose Application ● Low VCE(sat).VCE(sat) = 0.2V (Typ.)(IC / IB = 2A / 0.1A)	SECOS 喜可士	SECOS
2SC4115	Low Frequency Transistor ■ Features ● Collector Current Capability IC=3A ● Collector Emitter Voltage VCEO=20V ● Complements to 2SA1585	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SC4115	TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● Low VCE(sat).VCE(sat) = 0.2V (Typ.)(IC / IB = 2A / 0.1A) ● Excellent current gain characteristics. ● Complements to 2SA1585	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI

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更新时间：2025-11-21 11:01:00

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2020-11-14
2SC3671-B,T2F(J
产品属性属性值搜索类似制造商: Toshiba 产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 系列: 2SC3671 技术: Si 商标: Toshiba 产品类型: BJTs - Bipolar Transistors 子类别: Transistors
2020-11-5
2SC4617TLR
深圳市科恒伟业电子有限公司深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516 网站 http://www.kehengweiyedz.cn 网站http://www.kehengweiye.com 邮箱：yulin522@126.com 0755-83200050 15817287769 柯先生
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