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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业
2SC4003	Plastic-EncapsulatedTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:1W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:200mA Collector-basevoltage V(BR)CBO:400V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited
2SC4003	NPNTripleDiffusedPlanarSiliconTransistor Features ●Highbreakdownvoltage ●AdoptionofMBITprocess ●ExcellenthFElinearity	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
2SC4003	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •HighhFE •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS •Highswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
2SC4003	SiliconNPNtransistorinaTO-252PlasticPackage. Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-252PlasticPackage. Features Highbreakdownvoltage,adoptionofMBITprocessexcellenthFElinearity. Applications Highvoltagedriverapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司
2SC4003	TO-251-3LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighhFE ●LowVCE(sat)	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

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更新时间：2024-5-11 18:18:02

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2020-4-22
2SC3998中文资料
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