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芯片资料

精确

型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO	操作
2SC4003-251	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 400V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 60(Min)@ IC= 50mA ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications	ISC 无锡固电	ISC

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更新时间：2025-9-27 22:59:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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2SC4617G-SOT323R-R-TG_UTC代理商
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2023-2-15
2SC380TM-O
只做原装假一赔十
2020-11-14
2SC3671-B,T2F(J
产品属性属性值搜索类似制造商: Toshiba 产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 系列: 2SC3671 技术: Si 商标: Toshiba 产品类型: BJTs - Bipolar Transistors 子类别: Transistors
2020-11-5
2SC4617TLR
深圳市科恒伟业电子有限公司深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516 网站 http://www.kehengweiyedz.cn 网站http://www.kehengweiye.com 邮箱：yulin522@126.com 0755-83200050 15817287769 柯先生
2020-4-22
2SC3998中文资料
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