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2SC3357-T1-RF-A

封装/外壳:TO-243AA 包装:带 描述:RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89 分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

CEL

California Eastern Labs

NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD

FEATURES • Low noise and high gain NF = 1.1 dB TYP., Ga = 7.5 dB TYP. @ VCE = 10 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz NF = 1.8 dB TYP., Ga = 9.0 dB TYP. @ VCE = 10 V, IC = 40 mA, f = 1 GHz • High power gain : MAG = 10 dB TYP. @ IC = 40 mA, f = 1 GHz • Large Ptot : Ptot = 1.2 W (Mounted on 16 cm2 ×

RENESAS

瑞萨

NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION

文件:216.06 Kbytes Page:6 Pages

CEL

California Eastern Labs

更新时间:2025-8-8 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
24+
NA/
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