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NPNEPITAXIALTYPE(STOROBOFLASH,MEDIUMPOWERAMPLIFIERAPPLICATIONS)

StrobeFlashApplications MediumPowerAmplifierApplications •HighDCcurrentgainandexcellenthFElinearity :hFE(1)=140~600(VCE=1V,IC=0.5A) :hFE(2)=70(min),200(typ.)(VCE=1V,IC=2A) •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=0.5V(max) (IC=2A,IB=50

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

NPNTransistorPlastic-EncapsulateTransistors

FEATURES HighDCcurrentgainandexcellenthFElinearity. Lowsaturationvoltage.

SECOS

SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

SECOS

NPNPlasticEncapsulatedTransistor

文件:295.39 Kbytes Page:2 Pages

SECOS

SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

SECOS

TRANSISTOR(NPN)

文件:125.94 Kbytes Page:1 Pages

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司

WINNERJOIN

SiliconNPNEpitaxialType(PCTprocess)StrobeFlashApplications

文件:335.57 Kbytes Page:3 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA
更新时间:2024-5-19 8:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
T)
30000
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0
TO-92
TOSHIBA/东芝
21+
89
20000
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税
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TO-92
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TOSHIBA/东芝
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TO-92
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