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TRANSISTOR(FORMUTINGANDSWITCHINGAPPLICATIONS)

ForMutingandSwitchingApplications •Highemitter-basevoltage:VEBO=25V(min) •HighreversehFE:ReversehFE=150(typ.)(VCE=−2V,IC=−4mA) •Lowonresistance:RON=1Ω(typ.)(IB=5mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

ForMutingandSwitchingApplications

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SiliconNPNEpitaxialTypeForMutingandSwitchingApplications

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更新时间:2024-5-14 12:05:01
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