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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Lowsaturationvoltage ●Highspeedswitchingtime ●Complementaryto2SA1213 | SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH |  |   | |
TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●SmallFlatPackage ●HighSpeedSwitchingTime ●LowCollector-emittersaturationvoltage ●Complementaryto2SA1213 APPLICATIONS ●PowerAmplifierandSwitching | HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司 |  | | |
SiliconPNPEpitaxialType ■Features ●SmallFlatPackage ●HighSpeedSwitchingTime ●LowCollector-emittersaturationvoltage ●Complementaryto2SA1213 | KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司 |  | | |
TRANSISTOR(POWERAMPLIFIER,SWITCHINGAPPLICATIONS) PowerAmplifierApplications PowerSwitchingApplications •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=0.5V(max)(IC=1A) •High-speedswitchingtime:tstg=1.0μs(typ.) •Smallflatpackage •PC=1.0to2.0W(mountedonaceramicsubstrate) •Complementaryto2SA1213 | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝 |  | | |
PowerAmplifierApplicationsPowerSwitchingApplications 文件：163.62 Kbytes Page：5 Pages | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝 | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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