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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Electrical characterlitics General Purpose Diodes | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 |   | ||
General Purpose Diodes General Purpose Diodes | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | | ||
isc Silicon NPN RF Transistor DESCRIPTION • Low Noise and High Gain NF = 1.5 dB TYP. Ga = 8 dB TYP. @f = 1.0 GHz, VCE = 10 V, IC = 5 mA • Wide Dynamic Range NF = 1.9 dB TYP. Ga = 9 dB TYP. @f = 1.0 GHz, VCE = 10 V, IC = 15 mA APPLICATIONS • Designed for use in low-noise amplifier of VHF ~ UHF stages. | ISC 无锡固电 | | ||
HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR DESCRIPTION The 2SC2570A is designed for use in Low Noise Amplifier of VHF & UHF stages. FEATURES • Low noise and high gain : NF = 1.5 dB TYP., Ga = 8 dB TYP. @f = 1.0 GHz, VCE = 10 V, IC = 5.0 mA • Wide dynamic range : | NEC 瑞萨 | | ||
NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION 文件：293.26 Kbytes Page：10 Pages | RENESAS 瑞萨 | |
2SC2570A-A-E产品属性
- 类型
描述
- 型号
2SC2570A-A-E
- 制造商
Renesas Electronics
- 功能描述
NPN
- 制造商
Renesas Electronics
- 功能描述
NPN Bulk
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
2020+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
2510000 |
T0-92 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
2447 |
TO92 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
23+ |
6000 |
专注配单,只做原装进口现货 |
|||||
NEC |
23+ |
TO-92 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
24+ |
TO-3 |
10000 |
|||||
NEC |
2023+ |
原厂封装 |
50000 |
原装现货 |
|||
瑞萨 |
24+ |
56800 |
特价现货,下单送华为手机.香港 日本 新加坡 |
||||
TOSHIBA |
24+ |
TO-92 |
5000 |
只做原装公司现货 |
|||
RENESAS |
26+ |
TO-92 |
360000 |
进口原装现货 |
|||
NEC |
TO-92 |
2000 |
现货库存 |
2SC2570A-A-E芯片相关品牌
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