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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SC2058STPP

High-frequency Amplifier Transistor (25V, 50mA, 300MHz)

1) Low collector capacitance. (Cob : Typ. 1.3pF)\n2) Low rbb, high gain, and excellent noise characteristics.;

ROHM

罗姆

2SC2058STPP

封装/外壳:SC-72 成形引线 包装:剪切带(CT)带盒(TB) 描述:TRANS NPN 25V 0.05A SPT 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ROHM

罗姆

TRANSISTOR NPN EPITAXIAL PLANAR

Features 1) Low collector capacitance. (Cob : Typ. 1.3pF) 2) Low rbb, high gain, and excellent noise characteristics.

ROHM

罗姆

High-frequency Amplifier Transistor(25V, 50mA, 300MHz)

High-frequency Amplifier Transistor (25V, 50mA, 300MHz) Features 1) Low collector capacitance. (Cob : Typ. 1.3pF) 2) Low rbb, high gain, and excellent noise characteristics.

ROHM

罗姆

Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package

文件:801.96 Kbytes Page:6 Pages

FOSHAN

蓝箭电子

丝印代码:TP;High-frequency Amplifier Transistor (25V, 50mA, 300MHz)

文件:172.69 Kbytes Page:3 Pages

ROHM

罗姆

High-frequency Amplifier Transistor

Features 1) Low collector capacitance (Cob:Typ. 1.3pF) 2) Low rbb, high gain and excellent noise characteristics.

SEMTECH_ELEC

先之科半导体

2SC2058STPP产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SC2058STPP

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT TRANS GP BJT NPN 25V 0.05A 3PIN

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2026-8-4 20:43:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON
原厂封装
1000
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
POWER
20+
IGBT-Driver
31000
POWER原装主营型号-可开原型号增税票
Power Integrations
21+
36
只做原装鄙视假货15118075546
CONCEPT
23+
标准封装
5000
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保
ROHM
22+
TO92S
20000
公司只有原装 品质保证
POWER INTEGRATION
25+
MODULE
1586
PI全系列在售
POWER INTEGRATION
25+
MODULE
1586
PI全系列在售
CONCEPT
26+
IGBT
6895
原厂全新正品旗舰店优势现货
ROHM
26+
TO92S
3658
芯为深仓现货
Power Integrations
1740
16
优势货源原装正品

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