| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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2SC1969 | NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifiers on HF band Mobile radio applications) C1969, 2SC1969 is a silicon NPN epitaxial planar type transistor designed for RF power amplifiers on HF band mobile radio applications. | Mitsubishi 三菱电机 |   | |
2SC1969 | isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·High Power Gain-: Gpe≥12dB,f= 27MHz, PO= 16W ·High Reliability APPLICATIONS ·Designed for 10~14 watts output power class AB amplifiers applications in HF band. | ISC 无锡固电 | | |
2SC1969 | Silicon NPN Power Transistor 文件：129.69 Kbytes Page：2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | | |
2SC1969 | 10 to 14 watts output power class AB ampliflers applications in HF band. 文件：310.54 Kbytes Page：3 Pages | ELEFLOW | | |
2SC1969 | NPN Epitaxial Planar Type | Mitsubishi 三菱电机 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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MITSUBISHI/三菱 |
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NA/ |
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MIT |
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MITSUBISHI/三菱 |
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MIT |
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MITSUBISHI |
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TO220 |
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MITSUBI |
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TO220 |
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保证进口原装可开17%增值税发票 |
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MITSUBISHI |
2023+ |
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50000 |
原装现货 |
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