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2SB834I

Silicon PNP transistor in a TO-251 Plastic Package.

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FOSHAN

蓝箭电子

2SB834I

双极晶体管

FOSHAN

蓝箭电子

PNP Silicon Epitaxial Power Transistor

Features: * DC Current Gain hFE = 60-200 @IC = 0.5A * Low VCE(sat)≤ 1.0V(MAX) @IC = 3.0A, IB = 0.3A * Complememtary to NPN 2SD880

WEITRON

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION ·With TO-220 package ·Low collector saturation voltage ·Complement to type 2SD880 APPLICATIONS ·Audio frequency power amplifier

JMNIC

锦美电子

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION ·With TO-220 package ·Low collector saturation voltage ·Complement to type 2SD880 APPLICATIONS ·Audio frequency power amplifier

SAVANTIC

PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER)

LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER * Complement to 2SD880

WINGS

永盛电子

HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

文件:164.22 Kbytes Page:4 Pages

UTC

友顺

更新时间:2025-9-28 14:03:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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TO-220
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