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型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
2SB722	isc Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= -160V(Min) ·High Power Dissipation-: PC= 150W(Max)@TC=25℃ ·High Current Capability	ISC 无锡固电	ISC
2SB722	Silicon PNP Power Transistors 文件：108.82 Kbytes Page：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB722	Silicon PNP Power Transistors 文件：72.34 Kbytes Page：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
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更新时间：2025-12-24 23:01:00

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2SB562L-TO92NLK-B-TG_UTC代理商
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2023-3-14
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2023-2-9
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2021-9-10
2SB1386-P-PNP硅外延晶体管
2SB1386-P :PNP硅外延晶体管的特点如下： ·低集电极饱和电压 ·Execllent电流增益特性 ·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息） ·环氧符合UL 94V -0阻燃等级 · Moisure敏感度等级1 2SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R 是微型商业组件公司的产品型号
2012-11-9