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2SB696	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • High power dissipation APPLICATIONS • Power amplifier applications • Recommended for high-power high-fidelity audio frequency amplifier output stage	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB696	isc Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -120V(Min) • High Current Capability • Wide Area of Safe Operation • Complement to Type 2SD732 APPLICATIONS • Designed for AF power amplifier applications. • Recommended for output stage of 60W power amplifier.	ISC 无锡固电	ISC
2SB696	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEo=-120V(Min) • High Current Capability • Wide Area of Safe Operation • Complement to Type 2SD732 APPLICATIONS • Designed for AF power amplifier applications. • Recommended for output stage of 60W power amplifier.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SB696	Silicon PNP Power Transistors 文件：114.67 Kbytes Page：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC

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更新时间：2026-5-14 8:36:00

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深圳市弘为电子有限公司	2SB703	NEC	24+	原厂封装	3500	原装现货假一罚十	询价
上海意淼电子科技有限公司	2SB698F	SANYO	23+	NA	20000	全新原装假一赔十	询价
深圳市科芯源微电子有限公司	2SB707	NEC	2026+	TO220	54648	百分百原装现货实单必成欢迎询价	询价
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2SB562L-TO92NLK-B-TG_UTC代理商
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2023-3-14
2SB776L-TO252R-P-TG_UTC代理商
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2023-2-9
2SB649 MOS
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2021-9-10
2SB1386-P-PNP硅外延晶体管
2SB1386-P :PNP硅外延晶体管的特点如下： ·低集电极饱和电压 ·Execllent电流增益特性 ·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息） ·环氧符合UL 94V -0阻燃等级 · Moisure敏感度等级1 2SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R 是微型商业组件公司的产品型号
2012-11-9