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芯片资料

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2SB681	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-3package ·Highpowerdissipation APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Recommendedforhigh-powerhigh-fidelityaudiofrequencyamplifieroutputstage	SAVANTIC Savantic, Inc.
2SB681	SiliconPNPPowerTransistors 文件：114.99 Kbytes Page：3 Pages	SAVANTIC Savantic, Inc.
2SB681	SiliconPNPPowerTransistor 文件：123.24 Kbytes Page：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

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更新时间：2024-5-24 13:10:00

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2SB1386-P:PNP硅外延晶体管的特点如下：·低集电极饱和电压·Execllent电流增益特性·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息）·环氧符合UL94V-0阻燃等级·Moisure敏感度等级12SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R是微型商业组件公司的产品型号
2012-11-9