2SB653(A)晶体管资料
2SB653(A)别名：2SB653(A)三极管、2SB653(A)晶体管、2SB653(A)晶体三极管
2SB653(A)生产厂家：日本日立公司
2SB653(A)制作材料：Si-PNP
2SB653(A)性质：低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
2SB653(A)封装形式：直插封装
2SB653(A)极限工作电压：120V
2SB653(A)最大电流允许值：7A
2SB653(A)最大工作频率：20MHZ
2SB653(A)引脚数：2
2SB653(A)最大耗散功率：60W
2SB653(A)放大倍数：
2SB653(A)图片代号：E-44
2SB653(A)vtest：120
2SB653(A)htest：20000000
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2SB653(A)wtest：60
2SB653(A)代换 2SB653(A)用什么型号代替：BD246C,2N6227,2N6230,2SA1141,2SA981,2SA982,3CD10E,
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-3package •Highpowerdissipation APPLICATIONS •Forlowfrequencypoweramplifierapplications | SAVANTIC Savantic, Inc. |  |   | |
iscSiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=-100V(Min) •HighPowerDissipation-:PC=60W(Max)@TC=25℃ •ComplementtoType2SD673 APPLICATIONS •Designedforlowfrequencypoweramplifierapplications. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | | |
SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=-100V(Min) •HighPowerDissipation-:PC=60W(Max)@TC=25℃ •ComplementtoType2SD673 APPLICATIONS •Designedforlowfrequencypoweramplifierapplications. | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司 |  | | |
SiliconPNPPowerTransistors 文件：109.86 Kbytes Page：3 Pages | SAVANTIC Savantic, Inc. | | | |
LOWFREQUENCYPOWERAMPLIFIERComplementarypairwith2SD673A SILICONPNPTRIPLEDIFFUSED LOWFREQUENCYPOWERAMPLIFIERComplementarypairwith2SD673A | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 |  | |
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2012-11-9
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