2SB649(A)晶体管资料

  • 2SB649(A)别名:2SB649(A)三极管、2SB649(A)晶体管、2SB649(A)晶体三极管

  • 2SB649(A)生产厂家:日本日立公司

  • 2SB649(A)制作材料:Si-PNP

  • 2SB649(A)性质:低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_视频输出 (Vi

  • 2SB649(A)封装形式:直插封装

  • 2SB649(A)极限工作电压:180V

  • 2SB649(A)最大电流允许值:1.5A

  • 2SB649(A)最大工作频率:140MHZ

  • 2SB649(A)引脚数:3

  • 2SB649(A)最大耗散功率

  • 2SB649(A)放大倍数

  • 2SB649(A)图片代号:B-21

  • 2SB649(A)vtest:180

  • 2SB649(A)htest:140000000

  • 2SB649(A)atest:1.5

  • 2SB649(A)wtest:0

  • 2SB649(A)代换 2SB649(A)用什么型号代替:BF463,BF760,CA73-2G,2SA1249,

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

PNPEpitaxialPlanarTransistors

PNPEpitaxialPlanarTransistors P/bLead(Pb)-Free

WEITRON

Weitron Technology

WEITRON

BIPOLARPOWERGENERALPURPOSETRANSISTOR

PNPSILICONTRANSISTOR APPLICATIONS *LowfrequencypoweramplifiercomplementarypairwithUTC2SD669/A

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION •WithTO-126package •Complementtotype2SD669/669A •HighbreakdownvoltageVCEO:-120/-160V •Highcurrent-1.5A •Lowsaturationvoltage,excellenthFElinearity APPLICATIONS •Forlow-frequencypoweramplifierapplications

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

锦美电子泉州锦美电子有限公司

JMNIC

PNPTypePlasticEncapsulateTransistors

FEATURES Powersmplifierapplications Powerdissipation PCM:1W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-1.5A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-180V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150 Collector-emittervoltage VC

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SECOS

TO-126CPlastic-EncapsulatedTransistors

文件:63.42 Kbytes Page:1 Pages

TELTokyo Electron Ltd.

东电电子东京电子有限公司

TEL
更新时间:2025-7-31 22:30:02
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