| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
2SB645R | High Voltage / High Power / Small Signal Transistors | SEMITECH 海晨启半导体 |   | |
Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • High power dissipation APPLICATIONS • For power switching and general purpose applications | SAVANTIC | | ||
Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • High power dissipation APPLICATIONS • For power switching and general purpose applications | JMNIC 锦美电子 | | ||
Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • High power dissipation APPLICATIONS • For power switching and general purpose applications | ISC 无锡固电 | | ||
Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -200V(Min) • High Power Dissipation- : Pc= 150W(Max)@Tc=25°C • Complement to Type 2SD665 APPLICATIONS • Designed for power amplifier applications. • Recommended for 200W high-fidelity audio frequency amplifier output stage. | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | | ||
Silicon PNP Power Transistors 文件：114.29 Kbytes Page：3 Pages | SAVANTIC | |
2SB645R产品属性
- 类型
描述
- PD Max：
150
- VCEV：
200
- VCEO：
200
- ICEV：
- ICEV_A：
- hFE：
40
- hFE_A：
.50
- VCE：
- VBE：
- IC：
- COB：
- fT：
12
- Case：
TO-204AA
- Is Darlington?：
FALSE
- IndustrySimilar：
2SB645R
- Notes：
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
CJ/长电 |
21+ |
TO-92L |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税发票 |
|||
HIT |
24+ |
4700 |
|||||
长电 |
25+23+ |
TO-92M |
24199 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
原装日立 |
TO-92L |
1000 |
原装长期供货! |
||||
HITACHI |
2016+ |
TO-92L |
208 |
全新 发货1-2天 |
|||
CJ/长电 |
26+ |
原厂原封装 |
86720 |
全新原装正品价格最实惠 假一赔百 |
|||
长电 |
22+ |
TO-92M |
20000 |
公司只有原装 品质保证 |
|||
HIT日立 |
23+ |
TO-92-L |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
|||
RENESAS |
18+ |
TO-92L |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
|||
CJ/长晶 |
2023 |
TO-92L |
11500 |
2SB645R规格书下载地址
2SB645R参数引脚图相关
- 5000
- 4921
- 4899
- 485接口
- 47471
- 4735
- 47301
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- 4313
- 4069
- 4066
- 3q1
- 3g汽车
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- 2SB653
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2021-9-102SB1386-P-PNP硅外延晶体管
2SB1386-P :PNP硅外延晶体管的特点如下： ·低集电极饱和电压 ·Execllent电流增益特性 ·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息） ·环氧符合UL 94V -0阻燃等级 · Moisure敏感度等级1 2SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R 是微型商业组件公司的产品型号
2012-11-9
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