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2SB642晶体管资料
2SB642别名：2SB642三极管、2SB642晶体管、2SB642晶体三极管
2SB642生产厂家：日本松下公司
2SB642制作材料：Si-PNP
2SB642性质：通用型 （Uni）
2SB642封装形式：直插封装
2SB642极限工作电压：60V
2SB642最大电流允许值：0.1A
2SB642最大工作频率：80MHZ
2SB642引脚数：3
2SB642最大耗散功率：0.4W
2SB642放大倍数：
2SB642图片代号：A-71
2SB642vtest：60
2SB642htest：80000000
- 2SB642atest：0.1
2SB642wtest：0.4
2SB642代换 2SB642用什么型号代替：BC177,BC204,BC212,BC251,BC256,BC266,BC307,BC512,BC556,BC557,3CG642,
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
2SB642 | Silicon PNP epitaxial planer type(Silicon PNP epitaxial planer type) Silicon PNP epitaxial planer type For low-power general amplification ■ Features ● High foward current transfer ratio hFE. ● M type package allowing easy automatic and manual insertion as well as stand-alone fixing to the printed circuit board. | PANASONIC 松下 |   | |
2SB642 | Silicon PNP epitaxial planer type Silicon PNP epitaxial planner type For low-power general amplification Features • High forward current transfer radio hFE. • M type package allowing esay automatic and manual insertion as well as stand-alone fixing to the printed circuit board. | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | | |
2SB642 | Silicon PNP epitaxial planner type 文件：124.08 Kbytes Page：1 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | | |
Silicon PNP epitaxial planner type Silicon PNP epitaxial planner type\nFor low-power general amplification • High forward current transfer radio hFE.\n• M type package allowing esay automatic and manual insertion as well as stand-alone fixing to the printed circuit board.; | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | |
2SB642产品属性
- 类型
描述
- 型号
2SB642
- 制造商
Panasonic Industrial Company
- 功能描述
TRANSISTOR
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PANASONIC/松下 |
23+ |
ZIP-3 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
MIT |
23+ |
ZIP3 |
5025 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
|||
PANASONIC/松下 |
25+ |
N/A |
20000 |
只做原装,只有原装。 |
|||
PANASONIC/松下 |
25+ |
ZIP-3 |
90000 |
全新原装现货 |
|||
MAT |
24+ |
38760 |
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2023-2-12SB649 MOS
www.jskj-ic.com
2021-9-102SB1386-P-PNP硅外延晶体管
2SB1386-P :PNP硅外延晶体管的特点如下： ·低集电极饱和电压 ·Execllent电流增益特性 ·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息） ·环氧符合UL 94V -0阻燃等级 · Moisure敏感度等级1 2SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R 是微型商业组件公司的产品型号
2012-11-9
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