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2SB563	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-66 package • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For low frequency power amplifier applications	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB563	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -80V(Min) • Low Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= -1.0V(Max) @IC= -3A • Complement to Type 2SD297 APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifier applications.	ISC 无锡固电	ISC
2SB563	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -80V(Min) • Low Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= -1.0V(Max) @IC= -3A • Complement to Type 2SD297 APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifier applications.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SB563	Silicon PNP Power Transistors 文件：111.5 Kbytes Page：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC

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更新时间：2025-11-20 16:42:00

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2021-9-10
2SB1386-P-PNP硅外延晶体管
2SB1386-P :PNP硅外延晶体管的特点如下： ·低集电极饱和电压 ·Execllent电流增益特性 ·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息） ·环氧符合UL 94V -0阻燃等级 · Moisure敏感度等级1 2SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R 是微型商业组件公司的产品型号
2012-11-9