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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
2SB562BTZ-E | Silicon PNP Epitaxial 文件：157.08 Kbytes Page：6 Pages | RENESAS 瑞萨 |   | |
2SB562BTZ-E | Silicon PNP Epitaxial | RENESAS 瑞萨 | | |
PNP Plastic Encapsulated Transistor FEATURES Low frequency power amplifier Complementary pair with 2SD468 | SECOS 喜可士 | | ||
Silicon PNP Epitaxial Application • Low frequency power amplifier • Complementary pair with 2SD468 | HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司 | | ||
LOW FREQUENCY POWER LOW FREQUENCY POWER LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER ■ FEATURES * Low frequency power amplifier * Complement to 2SD468 | UTC 友顺 | | ||
Plastic-Encapsulated Transistors FEATURES Power dissipation PCM: 900 mW (Tamb=25℃) Collector current ICM: -1 A Collector-base voltage V(BR)CBO: -25 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ | TEL | | ||
Silicon PNP Epitaxial 文件：157.08 Kbytes Page：6 Pages | RENESAS 瑞萨 | |
2SB562BTZ-E产品属性
- 类型
描述
- 型号
2SB562BTZ-E
- 制造商
RENESAS
- 制造商全称
Renesas Technology Corp
- 功能描述
Silicon PNP Epitaxial
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
HITACHI |
2026+ |
TO92S |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
|||
HITACHI |
24+/25+ |
930 |
原装正品现货库存价优 |
||||
renesas |
25+ |
500000 |
行业低价,代理渠道 |
||||
NEC |
20+ |
TO-66 |
35830 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
HITACHI/日立 |
2450+ |
TO92 |
8850 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
HITACH |
25+ |
TO-92L |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
HITACH |
TO-92L |
8560 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
CJ/长电 |
21+ |
TO-92L |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税发票 |
|||
长电 |
25+23+ |
TO-92L |
23875 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
RENESAS |
22+ |
TO-92 |
20000 |
公司只有原装 品质保证 |
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支持实单 价格优势 有单必成
2022-3-302SB649 MOS
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2SB1386-P :PNP硅外延晶体管的特点如下： ·低集电极饱和电压 ·Execllent电流增益特性 ·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息） ·环氧符合UL 94V -0阻燃等级 · Moisure敏感度等级1 2SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R 是微型商业组件公司的产品型号
2012-11-9
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