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型号	功能描述	生产厂家&企业
2SB551	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-66package •Lowcollectorsaturationvoltage APPLICATIONS •Forlowfrequencypoweramplifierapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.
2SB551	iscSiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION •LowCollectorSaturationVoltage-:VCE(sat)=-1.2V(Typ.)@IC=-2A •HighPowerDissipation-:PC=25W(Max)@TC=55℃ APPLICATIONS •Designedforlowfrequencypoweramplifierapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
2SB551	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION •LowCollectorSaturationVoltage-:VCE(sat)=-1.2V(Typ.)@IC=-2A •HighPowerDissipation-:PC=25W(Max)@TC=55℃ APPLICATIONS •Designedforlowfrequencypoweramplifierapplications.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
2SB551	SiliconPNPPowerTransistors 文件：112.38 Kbytes Page：3 Pages	SAVANTIC Savantic, Inc.

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更新时间：2025-5-29 23:01:00

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2023-3-14
2SB776L-TO252R-P-TG_UTC代理商
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支持实单价格优势有单必成
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2SB1386-P:PNP硅外延晶体管的特点如下：·低集电极饱和电压·Execllent电流增益特性·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息）·环氧符合UL94V-0阻燃等级·Moisure敏感度等级12SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R是微型商业组件公司的产品型号
2012-11-9