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2SB229100MA

LOW IR SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS

DESCRIPTION ➤ 2SB229100MA is a schottky barrier diode chips fabricated in silicon epitaxial planar technology; ➤ Due to special schottky barrier structure, the chips have very low reverse leakage current ( typical IR=0.002mA@ Vr=100V ) and maximum 150°C opera

SILAN

士兰微

2SB229100MA

肖特基二极管芯片

SILAN

士兰微

2SB229100MA产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SB229100MA

  • 制造商

    SILAN

  • 制造商全称

    Silan Microelectronics Joint-stock

  • 功能描述

    LOW IR SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS

更新时间:2025-11-21 15:14:00
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