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LOW IR SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS

DESCRIPTION ➤ 2SB183100MA is a schottky barrier diode chips fabricated in silicon epitaxial planar technology; ➤ Due to special schottky barrier structure, the chips have very low reverse leakage current ( typical IR=0.002mA@ Vr=100V ) and maximum 150°C operation junction te

SILAN

士兰微

肖特基二极管芯片

SILAN

士兰微

更新时间:2025-12-25 17:37:00
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